在天然界中，有一种雪白略带淡蓝色的金属“铟”，它质地软、可延展、电阻低、抗侵蚀，具有较好的光渗入性和较强的导电性等长处。以铟制成的ITO(氧化铟锡)作为靶材，普遍用于液晶显现器、平板屏幕、触摸屏、光学镀膜等产物的出产。

另外，它也被操纵在异质结电池制程的第三个关键，即经由进程PVD装备，操纵磁控溅射道理，将靶材(ITO)堆积到硅片外表，制备双面分歧的通明导电膜(TCO)。

但是，作为一种罕见金属，铟的价钱较高，是以，为了增进异质结手艺的降本增效财产化成长，迈为股分从装备端与工艺端等方面“多管齐下”，延续鞭策异质结TCO的低铟计划，尽力下降异质结电池对铟的依靠，防止制作端被其掣肘。以下为您先容迈为的“降铟三部曲”：

一、装备优化降铟

对异质结电池的PVD装备，迈为从研发设想之初就正视靶材单耗的下降。经由进程对溅射单位的不时优化，今朝迈为的最新装备对100%铟基靶材的实际单耗已从近20mg/W降至13.5mg/W，旧装备亦可进级。

在努力优化靶材单耗的进程中，得益于对大批测试数据与改良计划的深挚堆集，迈为已构成清楚、有用的单耗下降手艺途径。估计在2023年末，迈为供给的异质结电池制作全体处理计划中，对100%铟基靶材的实际单耗可下降到12mg/W摆布。

二、低铟叠层膜降铟

将低铟叠层膜计划（50%无铟）与上述装备改良计划相连系，铟基靶材实际单耗可下降至6mg/W摆布。

经由进程延续不时的工艺研发，迈为接纳50%铟基+50%非铟基叠层TCO制备的异质结电池，其转换效力已可与全铟基TCO电池持平。同时，低铟基计划具有杰出的靠得住性与不变性，与铜电镀和银包铜等低本钱计划亦可完善连系。

对此类低铟计划，迈为的PVD装备都可兼容，仅需经由进程靶材与靶位调剂便可轻松导入。斟酌到非铟基靶材的品种良多，其电阻率的跨度很大，迈为的PVD装备接纳多种输出形式，能够让非铟基靶材的溅射加倍不变。

三、范围化铟收受接管

异质结财产的范围正日趋扩展，铟资料的收受接管可进一步完成，连系无铟靶材的慢慢深切，吉瓦(GW)级异质结电池工场的铟耗损量将无望下降至1mg/W。

经由进程对峙不懈的装备优化与手艺立异，迈为股分聚焦异质结手艺，不时拓宽其降本之路，勇攀其增效之峰。客岁8月，公司就已接纳低铟（50%）含量的TCO工艺连系铜电镀栅线，取得25.94%的异质结电池效力ISFH认证，与全铟基计划下的电池效力分歧。在这次 “降铟三部曲”的鞭策下，迈为股分将助力异质结财产迎来加倍光亮与广漠的将来。