12英寸晶圆研抛一体装备
该装备用于8英寸、12英寸半导体晶圆减薄、抛光工艺。
装备上风
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01高精度铸件，无应力变形;便宜主轴，不变性高
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02搭载打仗式及非打仗式测高模块，对晶圆厚度不变节制
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03搭配自立研发主轴、抛光磨轮，完成晶圆干抛功效。改良研磨残留的毁伤层，进一步晋升晶圆强度
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04优良的视觉检测和定位体系，可辨认晶圆正背面，完成主动定位弥补
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05自力式台盘倾角机电调剂节制，精准度高、操纵便利
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06进步前辈的可视化界面，可及时显现和监控关头加工信息曲线
装备展现
根基信息
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1. 合用产物：8/12inch 硅基晶圆减薄、抛光
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2. 可对应最薄产物：≥50μm(DBG工艺：≥25μm)
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3. 研磨速率：0.01μm/s~80μm/s
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4. 合用物料厚度：≤1.8mm
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5. 加工品德：TTV≤2.5μm，WTW 士2.5μm，Ra≤0.005μm