12英寸晶圆等离子体切割装备
该装备用于半导体晶圆的等离子体(Plasma)切割。
装备上风
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01双离子源ICP电感耦合等离子刻蚀腔体设想，高刻蚀平均性
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02双电极静电卡盘吸附设想，吸附力强，产物控温机能好
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03Inline多腔体同时功课，高产能
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04高精度真空搬运手臂，产物搬运宁静性高
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05双层气体整流板(Gas Baffle)设想，进步Plasma平均度可调性
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06产物温度红外检测设想，产物超温掩护，进步产物宁静性
装备展现
根基信息
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1. 合用产物：4~12 inch 硅晶圆
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2. 加工体例：全主动